• 概要

IB2019-08

TEMで得られた結果の質や正確性は試料の状態に大きく依存し、試料厚が薄く、アモルファス層の少ない高品質な試料を作製することが大切です。FIBで作製したTEM試料にArイオン加工を行うことによりアモルファス層の少ない高品質な試料を作製できるイオンスライサ仕上げ法を紹介します。

イオンスライサ仕上げ法

オンスライサ仕上げ法は、FIBにより薄膜試料を作製した後に、イオンスライサTMにより低エネルギーのArイオンビームで追加⼯を行う手法です。
グリッドホルダー※オプションとホルダーアダプター※オプションにより、FIBグリッドをホルダーに付けたまま装置間の移動ができますので、簡単に仕上げ加⼯が行えます。
イオンスライサ仕上げ法

GaN-LEDのTEM試料作製

GaN-LEDの多重量子井戸構造を観察するためのTEM断面試料を作製しました。
FIBのみ使用して作製した試料とイオンスライサ仕上げ法により作製した試料をLaB6電子銃のTEMで観察しました。
FIBで作製した試料は量子井戸構造の境界が不明瞭ですが、イオンスライサ仕上げの試料では境界が明瞭に観察できます。
この結果から、イオンスライサ仕上げにより試料ダメージの少ない試料が作製できていることがわかります。

FIBで作製した試料

  • 仕上げ加⼯:3 kV (FIB)
  • 試料の厚み:60 nm以下
TEM像 FIBで作製した試料

イオンスライサ仕上げ法で作製した試料

  • 仕上げ加⼯:5 kV (FIB) + 1 kV (Ar)
  • 試料の厚み:60 nm以下
TEM像 イオンスライサ仕上げ法で作製した試料

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