オスミウム・プラズマコーターは「直流グロー放電による負グロー相領域内でのプラズマ製膜法」を用いた、主にSEM試料用の導電性薄膜作製装置です。プラズマCVD法により、非晶質のオスミウム導電性薄膜（オスミウムコート）を短時間に形成することができます。非常に強固、かつ滑らかな表⾯の導電性薄膜が試料に対し熱ダメージを与えることなく得られます。また、標準仕様のオスミウム薄膜機構に加え、ナフタレンを用いたプラズマ重合膜機構、導電性超薄膜製膜機構、親⽔化処理機構、深型試料機構などの拡張性に優れたラインアップを取り揃え、SEM・TEM試料等のさまざまな前処理に対応しています。
特長
オスミウム薄膜に関して
粒状性がない（オスミウム薄膜は非晶質）
回り込みが良い（四酸化オスミウムをガス化後に製膜）
熱ダメージがない（熱をかけず常温で製膜）
電子線ダメージがない（⾦属オスミウムの融点は2,700°C）
コンタミネーションがない（オスミウムイオン雰囲気内で製膜）
プラズマ重合膜（ナフタレンによるハイドロカーボン膜）
強靭性（FIBで使用するガリウムイオンに耐えうる強靭な膜です）
粒状性がない（ハイドロカーボンのプラズマ重合膜は非晶質）
回り込みがよい（ナフタレンをガス化してから製膜）
熱ダメージがない（熱をかけず、常温で製膜）
耐熱性
絶縁性
電子線ダメージがない
操作性について
フルオート操作（膜厚を設定してスタートボタンを押すだけ。人為的な膜厚誤差や膜質誤差が少なく、再現性に優れています）
オスミウム昇華室/ナフタレン昇華室の着脱が可能。（密封構造で、冷凍保存も可能）
オスミウム/ナフタレンの残量確認が可能（残量確認⼩窓付き）
製膜時間が短い（数nm/数秒）
安全性に関して
フルオート操作でヒューマンエラーを防ぎます。
アンプルは昇華室の中で割る安全構造です。
インターロック機構（オスミウムガスがガス反応容器内に導入された後、規定の真空度に到達しない限りガス反応容器内のリークができません。また、真空チャンバー開放時、ガス導入スイッチが押せません）
当社独自開発のオスミウムトラップフィルターを装着。環境基準をクリアし、ハイレベルな安全性を確保。
仕様・オプション
本体
| 型式 | OPC80T | OPC60A |
|---|---|---|
| ガス反応容器 | ガラス容器160(φ)×105(H)mm | ガラス容器120(φ)×73(H)mm |
| 最⼤試料寸法 | 44(W)×44(D)×4(H)mm 又は、32(φ)×14(H)mm |
33(W)×33(D)×4(H)mm 又は、36(φ)×14(H)mm |
| SEM試料台用陰極電極 | マルチタイプ電極 10mmφ×2個 及び 15mmφ×2個 及び 32mmφ×1個 を同時に製膜 |
大型試料用電極 10mmφ×7個 又は 15mmφ×4個 又は 36mmφ×1個 |
| 生成膜厚 | 数nm〜数100nm | |
| 最⼩膜厚設定 | 超薄膜モード：0.1nm〜、通常モード：1nm〜 | |
| 生成膜 | オスミウム薄膜、プラズマ重合膜（ナフタレン） | オスミウム薄膜 |
| 四酸化オスミウム昇華室 | 残量確認窓付密封脱着構造（脱着後冷凍保存可） | |
| ナフタレン昇華室 | ヒーター付、残量確認窓付脱着構造 | - |
| ガス導入方式 | 四酸化オスミウム結晶 又は、ナフタレン結晶を専用昇華室で昇華させて導入 |
四酸化オスミウム結晶を専用昇華室で昇華させて導入 |
| 電源 | 単相AC100V 50/60Hz 12A （ロータリーポンプの供給電源を含む） |
単相AC100V 50/60Hz 10A （ロータリーポンプの供給電源を含む） |
| 外形寸法 | 450(w)×410(D)×390(H)mm | 450(w)×390(D)×340(H)mm |
| 質量 | 約30kg | 約20kg |
ロータリーポンプ（OsO4 フィルター付）
| 電源 | AC100V 50Hz(60Hz) 550W | AC100V 50Hz(60Hz) 200W |
|---|---|---|
| 全負荷電流 | 単相 9.0A (8.4A) | 単相 5.6A (4.8A) |
| 排気速度 | 200L (240L) /min | 50L (60L) /min |
| 外形寸法 | 170(W)×520(L)×560(H)mm | 170(W)×400(L)×580(H)mm |
| 重量 | 約31kg | 約18kg |
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