オスミウムコーティングシステムTennant20は、純粋なオスミウム金属被膜を製膜する為にプラズマCVD成膜法を採用。
プラズマCVD成膜法は、真空チャンバー内に四酸化オスミウム昇華ガスを導入し、直流グロー放電によりプラズマ化させます。
この時、チャンバー内は負グロー相領域と陽光柱領域と呼ばれる領域に分かれます。陽光柱領域でのコーティングは、残存ガスや不安定なオスミウムイオンが混在する領域のため、電子線ダメージに弱く破壊されやすい酸化オスミウム被膜が形成されます。
これに対し、陰極上の負グロー相領域では、オスミウム陽イオン化ガス分子が濃縮し、激しく衝突し合い、純粋なオスミウム金属導電被膜が形成されます。
これにより極薄膜でも強い電子線ダメージに破壊されない強固なアモルファス導電被膜を形成することが出来ます。
特長
ユーザーフレンドリーな制御パネル
直感で操作のできる制御パネルを搭載し、初めてご使用いただく場合でも簡単に操作することが可能です。
オート、マニュアル操作モードの選択
オートに加え、マニュアルモードも搭載することにより、ユーザーの目的やサンプル構造に応じたコーティングプロセスを選択することが可能です。
チャージアップのない極薄膜を形成
オスミウム導電被膜は、試料上面、側面、下面、さらに複雑構造の奥深くにも均一に回り込むことができます。
このため、極薄膜でもチャージアップすることなく電子線ダメージに負けない強固な導電被膜が形成されます。
プラズマCVD方式を採用で純粋なオスミウム金属導電被膜を形成
プラズマCVD方式は、真空チャンバー内に四酸化オスミウム昇華ガスを導入し、直流グロー放電によりプラズマ化させます。
この時、チャンバー内は「陽光柱領域」と「負グロー相領域」と呼ばれる領域に分かれます。
純粋なオスミウム金属導電被膜を形成する「負グロー相領域」を拡大
一般的な平行平板電極では負グロー相領域の高さは5 ㎜と浅く、これを超える高さの試料では陽光柱領域での酸化オスミウム被膜が形成されてしまいます。Tennant20、Neoc は負グロー相の高さは20 ㎜と格段に拡大されました。
オスミウムアンプル交換アラート表示
消耗品となるオスミウム結晶の交換タイミングをモニター上に表示。脱着作業も操作パネルからの作業指示により簡単に交換可能です。
安全性に特化した操作プログラム
セキュリティコード、自動排気シーケンスなど安全に使用いただくための対策プログラムを強化しました。
仕様・オプション
仕様
| 型式 | Tennant20 |
|---|---|
| チャンバー寸法 | φ150×70㎜ |
| 試料台 装填可能数 | φ10㎜×35個、φ15㎜×10個、φ30㎜×5個 |
| ベルジャ | 高気密Oリング式 |
| ポンプ容量 | 50ℓ/min |
| 消費電流 | AC100V 最大10A（真空ポンプ起動含む） |
| 本体寸法 | 390（W）×385（D）×435（H）㎜ |
機能仕様
| 自動排気 | チャンバー内ガスの大気置換（真空引30秒/ポンプ停止10秒×3回） |
|---|---|
| 電流値設定 | 0.1～20.0mA（制限電流は最大30mA） |
| 膜厚設定 | 0.0～30.0nm |
| Auto | 膜厚値入力後、自動運転真空引：～2Pa ガス充填：10秒 |
| Manual | COAT時間、電流値、ガス充填時間を任意設定 |
| EJECT | 強制排気：180秒 |
| INSERT | 強制排気：～2Pa |
| Finish | 強制排気：～2Pa |
| アンプル交換 | 強制排気：～2Pa + 30分 |
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