最先端デバイス製造工場の歩留まり向上を図る目的で、JWS-3000は、弊社のセミインレンズをレビューSEM向けに最適化し、加速電圧1ｋV時3nmの超高分解能を実現
特長
半導体デバイスの微細化に伴い様々な材料が採用されている最先端デバイス製造工場の歩留まり向上を図る目的で、JWS-3000 は、弊社のセミインレンズをレビュー SEM 向けに最適化し、加速電圧 1ｋV 時 3nm の超高分解能を実現しました。併せて、材料へのダメージを抑える為に 300V 以下の低加速電圧でも高画質 SEM 像が得られる電子光学系を採用しております。
更に、高画質 SEM 像を得る為に適用範囲の広いチャージアップ対策、高速オートフォーカス機能、環境対策（磁場、振動、音響）を施しました。自動で高画質欠陥 ・ 異物を認識し SEM 像取得を行う自動欠陥レビュー（ADR）、その SEM 像をもとにした自動欠陥分類（ADC）や認識した異物 ・ 欠陥の自動分析の自動化オプションも装備可能など、様々な機能の充実を図っております。
仕様・オプション
| 分解能 | 3nm（加速電圧 ： 1kV 時）、5nm（300V時） |
|---|---|
| 加速電圧 | 100V～200V |
| 観察倍率 | ×100～×500,000 |
| ステージ | X-Y：300mm、T：45°、R：360° |
| 試料サイズ | 300mm（200mm兼用機も可） |
| ADR（die to die） | 750dph（JEOL標準サンプル） |
