CP試料作製用保護膜

クロスセクションポリッシャ™ (CP) による試料作製法では、試料にイオンを照射し続けることにより試料表面に熱が発生します。

熱は試料ダメージを引き起こします。保護膜は、試料からの熱を分散しダメージを軽減させ、良好な試料作製をするために重要な役割を果たします。

保護膜を必要とする試料作製

• 熱に弱い試料の加工

• 試料最表面※ (メッキ層、コーティング膜など) の試料の加工

• ～100 μm

熱に弱い試料作製で保護膜を使用した場合の熱ダメージの比較
(加速電圧 : 4 kV　加工時間 : 5 h　試料 : ゴム栓)

使用方法

CPによる試料作製では連続的なイオン照射により発生する熱の影響で試料の変形や、試料の再付着で微細構造が観察できない事があります。このような場合に試料表面にシリコンの板を張り付けてイオン照射をすることにより熱を逃がし試料の変形を防ぐことや、遮蔽版と資料の隙間を埋めることができるため試料の再付着を防ぐことができます。
ゴム栓の断面加工に用いた例を下に示します。 (特許番号 第4922632号)

CP試料作製用シリコン保護膜 (P/N 781185629) は上記のような目的のために使いやすく加工 (8 mm × 8 mm 200 μm) されたシリコンチップが10枚セット (右) になっています。カードエッジの加工に用いた例を下に示します。

効果事例1 試料最表面の保護 (加速電圧 : 6 kV)

効果事例2 再付着 (リデポ) の防止 (加速電圧 : 6 kV)

パーツリスト