光学薄膜や電極膜など各種薄膜形成に利用される電子ビーム蒸着用電子銃(偏向型)です。
特長
電子ビーム蒸着法の特長
蒸発材料に電子ビームを直接照射し加熱するため熱効率が良く、高融点金属を始め、酸化物や化合物、昇華性物質など様々な材料を蒸発させる事ができます。
水冷銅るつぼ内(※)の蒸発材料を直接加熱するため、抵抗加熱式や誘導加熱式のようにボートやるつぼとの反応がありません。
※ハースライナーを使用する場合もあります。高速で出力制御できるため、精密な膜厚制御が可能です。
スパッタリング法や CVD 法と比較した場合、高速で成膜できる点が大きな特長です。
1µm 以上の厚膜作製にも有効です。
日本電子製電子銃・電源の特長
[ 酸化物 ]
電子ビームは蒸発材料に対して垂直に照射され、ビームスポットは真円に近くエネルギー密度が高いのが特長です。 更に、高速のスキャニング機能を標準装備しているため、高融点で熱伝導の低い酸化物や昇華性材料への蒸着に適しています。 良好な溶け跡が得られ、広い成膜エリアにおいて再現性のある膜厚分布が得られます。
[ 金属 ]
ルツボの選択範囲が広く、多種・大量・ハイレート蒸着が可能です。 成膜時の温度上昇を抑えたリフトオフプロセス用電子銃もあります。
[ 合金・複合膜 ]
隣接する2点ないし3点のルツボに異なる材料を充填し、専用のスキャンコントローラーを用いて2元ないし3元同時 蒸着による合金膜・複合膜の形成が可能です。
関連製品リンク
BS-102UGA 長寿命フィラメント搭載 102UHO/UBシリーズ専用グリッドアッセンブリ
仕様・オプション
| 型式 | 最大出力 | 偏向角 | フィラメント | ビーム走査 | ルツボ | 酸化物 | 金属 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BS-60070DEBS | 6.4kW | 270° | Ｕ字形 （長寿命） |
高速 スキャニング |
無※2 | ◎ | ○ |
| BS-60060DEBS | 6.4kW | 270° | 無※2 | ◎ | ○ | ||
| BS-60050EBS | 10kW | 270° | 無※2 | ◎ | ○ | ||
| BS-60040VDGN | 10kW | 270° | 無※2 | ◎ | ○ | ||
| BS-60030DGN | 10kW | 270° | 無※2 | ◎ | ○ | ||
| EBG-102UB6S | 10kW | 180° | スパイラル形 | 12cc×6点 | ◎ | ○ | |
| EBG-102UB4S | 10kW | 180° | 12cc×4点 | ◎ | ○ | ||
| JEBG-102UH0 | 10kW | 180° | 無※2 | ◎ | ○ | ||
| BS-60210DEM ＋BS-60140H4H |
10kW | 270° | 直線コイル形 （長寿命） |
中速 スキャニング |
40cc×4点 | △ | ◎ |
| BS-60210DEM ＋BS-60150H6H |
10kW | 270° | 40cc×6点 | △ | ◎ | ||
| EBG-203UB6S | 20kW※1 | 270° | スパイラル形 | 高速 スキャニング |
12cc×6点※3 | ○ | ◎ |
| EBG-203UB4H | 20kW※1 | 270° | 12cc×2点 28cc (半球)×2点 |
○ | ◎ | ||
| JEBG-203UA0 | 20kW※1 | 270° | 無※4 | ○ | ◎ | ||
| JEBG-303UA | 30kW※1 | 270° | 無※5 | ○ | ◎ |
EB電源の最大出力が16kWとなるため、実際に使用できる最大出力は16kWとなります。
特注にて製作可 ⇒12cc×4 or 6点 等
坩堝穴形状変更可 ⇒ 28cc（φ45×20h）×6点， 51cc（φ60×20h）×3点 等
特注にて製作可 ⇒40cc（φ50×25h）×4 or 6点， 114cc（φ75×30h）×1点 等
特注にて製作可 ⇒114cc（φ75×30h）×1点， φ34×20h×3穴（同時蒸着用）， φ70×30h×4点 等
ルツボ仕様についてはご相談下さい。
カタログダウンロード
アプリケーション
BS_JEBG_EBGseriesに関するアプリケーション
反射電子低減電子銃BS-60050EBSによる近紫外域低吸収膜の作製
関連製品
BS-60211DEM / BS-60210DEM 電子銃
金属蒸着専用の電子銃です。ルツボと反射電子トラップが標準装備されています。金属のハイレート蒸着、厚膜蒸着できます。
ルツボ後方の反射電子トラップにより、基板温度上昇の原因となる反射電子をトラップします。
厚膜蒸着、ハイレート蒸着しても、基板温度が低く抑えられます。
リフトオフ蒸着など、温度上昇をおさえたい蒸着に適しています。
ルツボは4点タイプと6点タイプの2種類があります。
容量も大きく、ルツボ側面も水冷されており、隣り合うルツボ間のクロスコンタミ対策もされています。
安定した蒸着ができます。
反射電子トラップ
電子ビーム蒸着過程では、蒸着材料に入射した電子の一部が反射電子(後方散乱電子)として放出され、基板に到達すると基板へのダメージや温度上昇、膜の密着性低下等に繋がる場合があります。
反射電子トラップは、電子銃と組み合わせて基板に入射する反射電子量を著しく低減させられるユニットです。既設の蒸着装置に後付けすることも可能です。
反射電子を低減させることで、以下の効果が見込めます。
基板温度の上昇を抑制できます。レジストパターン上に蒸着するリフトオフプロセスに向いています。
反射電子ダメージの影響を受けやすい基材や下地層への成膜に向いています。
密着性が向上します。
