スポット型電子ビーム描画装置JBX-8100FSは、従来装置よりもオペレーション中や描画中の無駄時間を極力省くことでスループットを向上させ、省スペース、低消費電力を実現した装置です。
特長
省スペース
標準の設置面積は4.9m (W) × 3.7m (D) × 2.6m (H) であり、従来機種よりも省スペース設計となっています。
低消費電力
通常時の消費電力は約3kVAであり、従来機種よりも約1/3に削減しました。
高スループット
高分解能描画モードと高速描画モードの2つのモードを有し、極微細加工から少・中量生産にまで対応しています。また、描画中の不要な時間を短縮し、更に最大走査スピードを従来比1.25～2.5倍の125MHz (世界最高クラス) で高速走査を実現しています。
バージョン
JBX-8100FSはG1 (エントリーモデル) とG2 (フルオプションモデル) とG3 (200 kVモデル) の3バージョンを準備しています。
G1モデルには導入後にオプションを追加することが可能です。
新機能
装置には光学顕微鏡 (オプション) が搭載可能であり、レジストを感光させることなく材料上のパターンを確認することが可能です。また、目視の範囲内で装置の稼働状況がわかるようにシグナルタワーが標準搭載されています。
レーザー位置決め分解能
標準では0.6 nmの単位でステージ位置を測定および制御を行っていますが、0.15 nm単位にも対応可能です(オプション)。
装置制御
Linux®を搭載しており、グラフィックユーザーインターフェイスにより初心者にも使いやすいシステムとなっています。また、データ準備プログラムはLinux®、Windows®の両方に対応しております。
200 kVモデル登場！
最高加速電圧 200 kV の世界へ
JBX-8100FS は高速・高精度な幅広いアプリケーションに適応するために開発されたスポットビーム描画装置です。
アップグレード可能なプラットホームにより、最先端のナノ構造の作製から化合物半導体デバイス製造まで幅広い分野にて使用可能です。
厚膜レジストにおける3D加工に有効です
下図は加速電圧100 kVと200 kVの加工比較データです。
加速電圧200 kVで加工するとレジスト膜が厚いサンプルにおいてテーパーが低減され、より垂直性が得られるデータとなっています。
加速電圧100 kVと200 kVの比較 (試料：10μm 厚膜レジスト)
加速電圧100 kV
3,000 μC / cm2
加速電圧200 kV
5,000 μC / cm2
Resist : PMMA
Thickness : 10um
Field size : 500um
Pattern width : 2um
Substrate : Si
脚注：
Linux®はLinus Torvalds氏の日本およびその他の国における登録商標または商標です。
Windows は、米国 Microsoft Corporation の、米国およびその他の国における登録商標または商標です。
仕様・オプション
| バージョン | G1 (エントリーモデル) | G2 (フルオプションモデル) | G3 (200 kVモデル) |
|---|---|---|---|
| 描画方式 | スポットビーム、ベクタースキャン、
ステップアンドリピート |
← | ← |
| 加速電圧 | 100 kV | 100 kV/50 kV | 200 kV/130 kV/100 kV/50 kV |
| ビーム電流 | 5×10-12 ～ 2×10-7A | ← | ← |
| フィールドサイズ | 最大1,000μm×1,000μm | 最大2,000μm×2,000μm | ← |
| 走査スピード | 最大125MHz | ← | ← |
| ステージ移動範囲 | 190mm×170mm | ← | ← |
| 重ね合わせ精度 | ≦±9 nm | ← | ≦±8 nm |
| 接合精度 | ≦±9 nm | ← | ≦±8 nm |
| 通常時消費電力 | 3kVA | ← | ← |
| 材料サイズ | 最大200mmΦウエハー
6インチマスク 任意の微小サンプル片 |
← | ← |
| 材料搬送 | 1枚オートローダー | 12枚オートローダー | ← |
| 主な装着可能オプション | 光学顕微鏡
25kV高電圧印加プログラム データ準備プログラム追加ライセンス 高分解能レーザーコントロールシステム |
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カタログダウンロード
アプリケーション
JBX-8100FSに関するアプリケーション
ギャラリー
