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スポットビーム描画装置において世界最高レベルのスループットと位置精度を兼ね備えた加速電圧100kVの装置です。最大試料サイズは300mmφウエハー、6型マスクまで対応し、ナノインプリント、フォトニックデバイス、通信デバイスなどの様々な分野の研究・開発から生産まで対応します。

特長

最大走査速度100MHzに加え、フィールドサイズ1000µm×1000µmにおいて重ね合わせ精度±11nm、フィールド接合精度±10nm、フィールド面内位置精度±9nmとスポットビーム機において世界最高レベルのスループットと位置精度を兼ね備えた100kV装置です。

位置決めDACは20bit、走査DACは14bitを採用しているため、描画データインクリメント1nmに対し、走査ステップが0.25nm単位とより高分解能となり、描画データをより忠実に再現できます。

走査速度を最大100MHzと高速化したことで、大電流描画時に短い走査ステップを維持できるため高い精度を要求するパターン描画においてもスループット向上が可能です。
LBC(レーザービームコントロール)による最小位置決め単位を0.15nm(λ/4096)と高分解能化することにより世界最高レベルの位置精度を実現しました。
弊社独自のオートキャリブレーション機能(自動補正機能)により、長時間描画において信頼のおける安定性を実現します。自動補正のタイミングは、任意の時間、各フィールドごとや、パターンごとに設定が可能です。週末や連休を跨ぐ様なオペレーター不在の長時間描画において非常に有効です。

最大試料サイズは300mmΦウエハー、6型マスクまで対応し、ナノインプリント、フォトニックデバイス、通信デバイスなどの研究開発から生産まで対応可能な装置です。材料カセット搬送システム(オプション)を追加することで最大10枚のカセットが装填できます。
ファインピッチコントロールプログラム(フィールドサイズ微小変調プログラム)を用いることでDFBレーザーなどのチャープト周期回折格子の制作が可能です。

仕様・オプション

電子銃 ZrO/Wショットキー型
描画方式 スポットビーム、ベクタースキャン、ステップ&リピート
加速電圧 100kV
描画材料サイズ 最大300mmΦウエハー、最大6型マスクおよび任意のサイズの微小サンプル片も装填可能です。
最大フィールドサイズ 1000µm×1000µm
ステージ移動範囲 260mmX240mm
ステージ移動制御単位 ステージ移動制御単位:0.15nm(λ/4096)
重ね合わせ精度 ±11nm以内
フィールド接合精度 ±10nm以内 (1000µm×1000µmフィールド)
フィールド面内位置精度 ±9nm以内(1000µm×1000µmフィールド)
位置決めDAC 20bit
走査速度 最大100MHz

アプリケーション

JBX-9500FSに関するアプリケーション

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