新WDS 装置を用いた軟X 線発光分光による価電子状態分析
日本電子News Vol.44, 2012
寺内 正己†、高橋 秀之††、飯田 信雄††、村野 孝訓††、小池 雅人†††、
河内 哲哉†††、今園 孝志†††、小枝 勝††††、長野 哲也††††、笹井 浩行††††、
大上 裕紀††††、米澤 善央††††、倉本 智史††††
† 東北大学多元物質科学研究所 先端計測開発センター
†† 日本電子株式会社 周辺機器事業ユニット
††† 原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
†††† 株式会社島津製作所 デバイス部光学ビジネスユニット
これまで透過型電子顕微鏡用に研究開発されてきた軟X 線発光分光装置の分光エネルギー領域を拡張し、TEM だけでなくEPMA/SEM に搭載可能な軟X 線発光分析システムの開発を行った。
ここでは、50−200eV 用に開発した回折格子JS50XL を用いた測定例として、単純金属のMg−L 発光、Li−K 発光、Al−L 発光、Be−K 発光を示す。これらのスペクトル強度分布は、価電子の状態密度分布とシャープなフェルミ端を明瞭に示した。また、半導体であるSi と金属であるTiSi2 のSi−L 発光スペクトルの比較、および、CaB6 とLaB6 のB−K 発光スペクトルの比較を示す。
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