ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡 JSM-IT800(i)/(is)バージョンの販売開始 −次世代プラットフォームを採用したFE-SEM—
公開日: 2021/08/31
日本電子株式会社 (代表取締役社長兼COO 大井 泉) は、2020年5月に発売開始したショットキー電界放出形電子顕微鏡 JSM-IT800に、半導体デバイスの観察を得意とするセミインレンズバージョン (i)/(is)を開発し、2021年8月より販売を開始しました。
開発の背景
走査電子顕微鏡 (SEM) はナノテクノロジー、金属、半導体、セラミックスや医学・生物学の分野など、様々な分野で活用され、益々その用途を広げています。
また、使用される目的も基礎研究から製造現場、品質管理まで幅広くなっています。
それに応じて、より早く高画質データを取得したい、分析を意識しないでより楽に組成情報を確認したいという需要が高まっています。
JSM-IT800は、高分解能観察を実現するための"インレンズショットキーPlus 電界放出形電子銃"と次世代型電子光学制御システム"Neo Engine"、高速度元素マッピングを実現するために使いやすさを追求したGUI "SEM Center" に自社製EDSを組込んだシステムを共通のプラットフォームとしています。また、SEMの対物レンズをモジュールとして置き換えることで、お客様の様々なニーズに応じた装置を提供します。
JSM-IT800には、対物レンズの違いにより、汎用FE-SEMであるハイブリッドレンズバージョン(HL)、より高分解能観察や分析を可能にするスーパーハイブリッドレンズバージョン (SHL/SHLs、機能の違いにより2バージョン)、今回新たに開発した半導体デバイスの観察を得意とするセミインレンズバージョン(i/is 、機能の違いにより2バージョン) と5つのバージョンをラインナップしました。
さらに、JSM-IT800には、新しい反射電子検出器であるシンチレーター反射電子検出器 (SBED) が搭載可能です。SBEDは、応答性が良くライブ像での観察が容易、かつ低加速電圧での材料コントラスト像の取得が可能です。
主な特長
- インレンズショットキーPlus 電界放出形電子銃
電子銃と低収差コンデンサーレンズの融合により高輝度化を実現しました。低加速電圧でも十分な照射電流が得られ(100nA@5kV)、高分解能観察から高速元素マッピング、EBSD分析まで行えます。 - Neo Engine (New Electron Optical Engine)
JEOLの電子光学技術の粋を集めた次世代型電子光学制御システムを搭載しました。
条件変更時でも安定した観察が可能です。また、オート機能等の使い勝手の大幅な向上も実現しました。 - SEM Center / EDSインテグレーション
操作GUI "SEM Center" と、自社製EDSをフルインテグレーションし、次世代の操作性を実現しました。さらに、初心者にSEM操作方法をアシストするスマイルナビや、ライブ像をみやすくするLIVE-AIフィルター (Live Image Visual Enhancer-AI:LIVE-AI) も搭載しました。 - セミインレンズバージョン (i/is)
セミインレンズは、対物レンズ下部に形成される強い磁場レンズにより、電子線を集束し、超高分解能を実現します。さらに、試料から発生する低エネルギー二次電子を効率よく収集し、その電子を上方インレンズ検出器 (UID;Upper In-lens detector) で検出します。これにより、半導体デバイスの不良解析で必要な、傾斜した試料や断面試料の高分解能観察や分析を行えます。さらに、電位コントラスト観察においても威力を発揮します。 - 上方電子検出器 (UED;Upper electron detector)
対物レンズ上方には上方電子検出器 (UED) を搭載可能です。反射電子像の取得や、試料バイアスを併用しての二次電子像の取得が強みです。試料から放出された電子は対物レンズ内部のUID filterにより選別されます。UED・UIDにより、複数の情報を1スキャンで取得できます。 - 新しい反射電子検出器
シンチレーター反射電子検出器 (SBED) は応答性に優れ、また低加速電圧での材料コントラスト像の取得に有利です。
主な仕様
JSM-IT800iバージョン | JSM-IT800isバージョン | |
---|---|---|
分解能 (1 kV) | 0.7 nm | 1.0 nm |
分解能 (15 kV) | 0.5 nm | 0.6 nm |
加速電圧 | 0.01 - 30 kV | |
標準検出器 | 二次電子検出器 (SED) 上方インレンズ検出器 (UID) 上方電子検出器 (UED) |
二次電子検出器 (SED) 上方インレンズ検出器 (UID) |
電子銃 | インレンズショットキーPlus 電界放出形電子銃 | |
照射電流 | 数 pA - 500 nA (30 kV) | 数 pA - 300 nA (30 kV) |
数 pA - 100 nA (5 kV) | ||
対物レンズ | セミインレンズ | |
試料ステージ | フルユーセントリックゴニオメーターステージ | |
試料移動 | Type1(標準)X; 70 mm Y; 50 mm Z; 1 ~ 41 mm Type2(オプション)X; 100 mm Y; 100 mm Z; 1 ~ 50 mm Type3(オプション)X; 140 mm Y; 80 mm Z; 1 ~ 41 mm 傾斜; -5 ~ 70° 回転; 360° |
|
EDS検出器 | エネルギー分解能:133 eV 以下 検出可能元素Be ~ U 検出素子面積:60 mm2 |
本体標準価格
JSM-IT800iバージョン: 99,600,000円~
JSM-IT800isバージョン:83,000,000円~
(EDS組み込み)
販売予定台数
JSM-IT800iバージョン:5台/年間JSM-IT800isバージョン:40台/年間