イオンビーム製品 (CPとFIB) を利用した半導体チップ内部の特定個所における断面作製法の紹介
公開日: 2021/09/02
半導体チップ内部には微細に積層された電子部品が存在します。通常、半導体チップ内の特定電子部品の断面を作製するには、目的とする層まで機械研磨による剥離を行い、FIBによる断面作製を行います。しかし、機械的研磨等による剥離は熟練の技が必要で、初心者には困難な作業です。本セミナーでは半導体チップをブロードArイオンビームで簡便かつクリーンに前処理を行い、FIBで狙った個所の電子部品を加工する方法を紹介します。
本セミナーは、WEB上で開催されます。WEBに接続できる環境であれば、パソコンからだけでなく、スマートフォンやタブレットからも参加することができます。
皆さまのご参加をお待ちしております。
"このウェビナーから学べること"
- CP(Cross Section Polisher)の基本
- CPの平面ミリングによる半導体チップ内部の露出方法
- FIB(Focused Ion Beam)の基本
"参加いただきたいお客様"
- CPやFIBに興味ある方
- 半導体業界の方
- 試料内部の分析をされている方
講演者
中島 雄平
日本電子株式会社
EP事業ユニット
EPアプリケーション部
SEMグループ
第4チーム

開催日/詳細
- 2021年10月29日 (金) 16:00~17:00
講演後に質疑応答の時間があります。
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発表資料
- 講演後のアンケートにご記入いただくとダウンロードができます。
参加費
- 無料(先着順での受付となります。お早目にお申込みください。)
お申し込み方法
ウェビナーは、終了しました。
お問合せ
- 日本電子株式会社
デマンド推進本部 ウェビナー事務局
sales1[at]jeol.co.jp
※ [at]は@に、ご変更ください。