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― "考える操作"から、"任せる測定"へ ―

"ACE eye™"は、レシピ化された操作ワークフローにより、TEM/STEM観察からEDS分析までを一貫して自動実行する半導体専用TEMです。測定条件の標準化によって高い再現性を実現し、セミオートメーションからフルオートメーションまで柔軟に対応します。AIによる自動収差補正 (ASCOR標準搭載) と高度な自動化アルゴリズムにより、常に最適な測定状態を維持し、操作者に依存しない高精度な測定を可能にします。さらに、実績あるハードウェア技術と長時間の安定運用設計により、半導体解析に求められる操作性と高い信頼性を提供します。

特長

Automation (自動化)

  • 測定条件および手順をレシピ化することで、TEM/STEM観察からEDS分析までを単一レシピで自動実行し、操作者に依存しない安定した測定結果を実現します。

  • セミオートメーションからフルオートメーションまで柔軟に対応し、測定目的や運用環境に応じた最適な自動化レベルを選択可能です。

  • ASCOR (CEOS社製) を標準搭載し、AIによる自動収差補正と高度な自動化アルゴリズムにより測定条件を最適化し、常に最適な測定状態を維持します。

  • フォーカス調整、非点収差補正、試料高さ調整、ビームセンタリング、結晶方位合わせなどの主要パラメータを自動調整します。

  • 大型液体窒素タンク(冷媒保持時間 約5日間)と自動測定ソフトウェア「Automation Center」(オプション)、ならびにMSP(MultiSPECPORTER、オプション)の組み合わせにより、無人での長時間連続自動測定を可能にし、測定効率および装置稼働率の向上に貢献します。

Stability (安定性)

  • ワイドギャップポールピースとASCOR (CEOS社製) を備えた堅牢な装置設計により、高分解能観察と高感度EDS分析を安定的に両立し、半導体材料の微細構造解析に適した観察環境を提供します。

  • TEM/STEMともに±0.5% の高い倍率再現性を実現し、長時間測定や自動測定においても、安定した位置決めと信頼性の高いデータ取得が可能です。

  • LogCheckerによる装置状態および外部環境 (磁場、振動、室温、水温) の常時モニタリング(オプション)により、測定環境を可視化し、安定運用を継続的に支援します。

  • 鏡筒エンクロージャーが外乱の影響を低減し、自動測定および高倍率観察における再現性と信頼性を一層向上させます。

Operability (操作性)

  • 直感的なユーザーインターフェース「TEM Center」により、観察から測定までをマウスを用いたシンプルな操作で実行でき、操作経験に依存しないスムーズな観察・測定を可能にします。

  • 「Automation Center」では、Operator/Administratorの2つのモードを備え、役割に応じた設定および運用管理を容易に行えます。

  • GATAN社製カメラとのシームレスな統合により、画像取得からデータ保存までを円滑に実行し、生産性の高い観察と信頼性の高いデータを提供します。

  • ワンタッチで試料グリッドの装着が可能な新開発ホルダーを採用し、グリッドの着脱作業を簡便化することで、日常作業の負担軽減と測定準備時間の短縮に貢献します。

FIB Linkage (FIB連携)

  • 二軸傾斜カートリッジ (オプション) と専用TEMホルダー (オプション) により、TEMとFIBのスムーズな連携を実現します。

  • カートリッジは専用ホルダーへワンタッチで装着可能であり、試料作製後にTEMグリッドを直接取り扱う必要がありません。これにより、作業負担の軽減と試料取り扱いリスクの低減に貢献します。

仕様・オプション

TEM分解能 (200 kV時)
粒子像 ≤0.27 nm
格子像 ≤0.1 nm
インフォメーションリミット ≤0.14 nm
STEM分解能 (200 kV時)
暗視野透過電子走査像 ≤0.1 nm
明視野透過電子走査像 ≤0.1 nm
電子銃 冷陰極電界放出形電子銃 (CFEG)
加速電圧 60 kV~200 kV
(200 kV, 80 kV標準対応、その他の加速電圧は別途オプション)
収差補正装置 STEM:ASCOR(標準構成)
試料移動 X,Y ±1.0 mm  Z ±0.4 mm
試料傾斜角
TX/TY (二軸傾斜ホルダー) ±35°/±30°
TX (専用高傾斜ホルダー) ±80°
オプション JEOL製160 mm2 SDD (Dual)、Automation Center、
MultiSPECPORTER、Tomography、EELS

ギャラリー

LAADF-STEM像

 

試料:半導体デバイス (GAA)
加速電圧:200 kV

HAADF-STEM像 (CD測定)

HAADF STEM image
 

試料:半導体デバイス (FinFET)
加速電圧:200 kV

EDSマップ (ネットカウントマップ)

左からHAADF-STEM, N, O, Si, Ti, Co, Cu, Ge, Hf, W

 

試料:半導体デバイス (FinFET)
加速電圧:200 kV

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