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特長 STRONG POINT

BS-60310BDS ボンバード蒸着源

電子ビームボンバード間接加熱法を利用した真空蒸着源です。
低ダメージ・低欠陥・低融点材料の成膜用途に適しています。

ボンバード間接加熱の原理

蒸着材料を充填したライナーに電子ビームを照射し間接的に加熱蒸発させます。

ボンバード方式による加熱原理(イメージ図)

ボンバード方式による加熱原理(イメージ図)

ダメージレス蒸着

反射電子やX線による基板や基材へのダメージが基本的にありません。
また成膜する基板や基材の温度上昇も、他の蒸着方式と比べ抑制することができます。

反射電子測定結果

反射電子測定結果
加速: 6kV、エミッション電流:0.1A、ターゲット材料:タングステン、蒸着機:1300サイズ

低欠陥成膜

ライナーを利用した間接加熱方式を採用する事により、蒸着材料の急激な温度上昇が抑えられ、且つライナー内の蒸着材料が比較的均一に加熱され溶け残りを防げるため、スプラッシュの発生が従来の電子ビーム蒸着と比べて大幅に抑制されます。パーティクルの混入を防いだ低欠陥の成膜に適しています。

MgF2蒸着時スプラッシュ比較

MgF2蒸着時スプラッシュ比較
76mm × 76mm 白板硝子、T-S間 1.1m、膜厚 150nm

優れたレート制御性

電子ビームによる高速加熱制御により、抵抗加熱蒸発源と比較して優れた蒸着レート制御性や安定性を実現します。
下図はAl連続蒸着テストの結果となります。予備加熱(立ち上がり部)後の成膜工程で安定した成膜レート制御が可能であることがわかります。
尚、本テストでは成膜レートを速やかに立ち上げるため層間暖気運転を行っています。

多種材料の蒸着が可能

蒸着材料 応用例
MgF2, LiF, CaF2, YbF3 AR (紫外~赤外)
YF3 AR, 赤外透過膜
LaF3 AR, レーザーミラー
WO3 電気変色膜
SiO AR(赤外), 保護膜
Si, Ge 赤外透過膜
Al, Ag, Cu, Au 電極膜, 反射膜

多点ライナーによる異種材料・多層蒸着

リボルバー式ライナー(蒸着材)交換機構により、異種材料の多層蒸着も可能です。
ライナーは蒸着材に適した材質・構造を選定できるため、蒸着材を高純度で安定して蒸発させることができます。

光学薄膜作製例 (吸収の低減)

フッ化物蒸着に特に適しているため、可視域はもちろん紫外域や赤外域の光学膜にも適用できます。

MgF2溶け跡と紫外域分光特性

  • 紫外域での吸収の低減を確認しています。
  • 蒸気と電子ビームが干渉しないため解離を抑制できます。

YF3溶け跡と赤外域分光特性

蒸着前 蒸着中 蒸着後
BS-60310BDS
電子銃

Cu蒸着例

水晶式膜厚コントローラを使用し、安定した蒸着レート制御ができます。
基板温度上昇を抑えた蒸着が可能です。

水晶式膜厚コントローラーによるCu蒸着レート

水晶式膜厚コントローラーによるCu蒸着レート

カタログ

仕様/オプション SPEC / OPTION

基本仕様

出力 最大1.2kW (※1)
冷却水 2.5~5 L/min、水温 10~25
動作圧力 5×10-5~10-2Pa
外形寸法 278mm(W)×238mm(D)×192mm(H)
質量 約11kg

標準構成

BS-60310DBS ボンバード蒸着源 本体
6点ライナータイプ (※2、※3)

オプション品

BS-60300RF 水冷ルーフ (※4)
BS-60320LN ライナー (単一材)
BS-60360LN ライナー (複合材)
  • ※1: 最大出力はライナーの種類に依存します。電源は電子銃電源BS-720ICEシリーズ/JST-Fシリーズが使用可能です。
  • ※2: BS-60310BDSにライナーは含まれません。オプション品の購入が必要です。ライナーは性能に大きく影響しますので、必ず当社オプション品をご使用ください。
  • ※3: 4点や12点も制作可能です。ライナー点数変更は別途ご相談に応じます。
  • ※4: 基板温度上昇を抑える場合に使用します。

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