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特長 STRONG POINT

BS-60211DEM/BS-60210DEM 電子銃
低温プロセス用途に適した金属蒸着用電子銃です。
リフトオフプロセスにおける電極膜形成用途の真空蒸着に最適です。
反射電子や輻射熱の影響を抑えながらハイレートで蒸着できます。
また、隣接するルツボへのクロスコンタミ対策が施されています。

低温・低ダメージ蒸着(反射電子・輻射熱対策)

高効率な反射電子トラップが組み込まれ、通常チャンバー内へ拡散する反射電子を捕獲します。 また蒸発源まわりの冷却が強化されています。 反射電子の熱影響と蒸発源まわりからの輻射熱を抑えることにより、基板の温度上昇を抑えながらハイレートで蒸着することが可能です。 また反射電子照射による基板/基材や下地層へのダメージも抑制できます。

従来電子銃・BS-60211DEM/BS-60210DEM
  • 従来型電子銃では反射電子の熱影響や蒸発源まわりからの輻射熱により成膜中の温度上昇を招きます。
  • 反射電子が非冷却部のチャンバー床面や壁面等に当たると加熱されるため、そこから二次三次的な輻射熱が発生します。
  • 反射電子が直接基板に入射してしまう場合は、特に基板の温度上昇が大きくなります。
Al蒸着時の基板温度上昇比較
反射電子の放出量
*金や白金では入射電子の半分近くが反射電子として放出されます。

反射電子のエネルギーは入射エネルギーとほぼ同等です。
*電子銃・電源の加速電圧が-10kVのときは、約10keVのエネルギー

厚膜・積層蒸着

大容量40mLのオプションルツボ(4点または6点式)との組み合わせにより、厚膜蒸着や複数の蒸着材料の積層膜形成が可能です。

クロスコンタミ対策

隣接するルツボへの蒸気回り込みによる異種材料混入を防ぎます。

各種金属材料の蒸着レート例

各種金属材料の蒸着レート例

リフトオフプロセス

リフトオフのプロセスフロー

リフトオフのプロセスフロー図

真空蒸着時の基板温度をレジスト膜の耐熱温度の約100℃以下に抑制、下地層となるレジスト膜パターンの形状崩れを防止し、リフトオフの歩留りを向上させることができます。

用途例) LED、SAWフィルター、パワーデバイス、MEMS等の電極膜/配線形成

仕様 SPEC

型式 名称 仕様
BS-60211DEM 電子銃 最大出力10kW(-10kV, 1A)
BS-60210DEM 電子銃 最大出力10kW(-10kV, 1A)
BS-60141H4M 4点ルツボ 40ml(Φ50mm×25mmH)×4点
BS-60140H4M 4点ルツボ 40ml(Φ50mm×25mmH)×4点
BS-60151H6M 6点ルツボ 40ml(Φ50mm×25mmH)×6点
BS-60150H6M 6点ルツボ 40ml(Φ50mm×25mmH)×6点

※電子銃とルツボの型式の違いは冷却水口の違いです。

仕様(お客様施工例)

外形寸法

外形寸法

※1:4点ルツボはこの寸法が220mmになります。

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