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特長 STRONG POINT

Gather-X JEDシリーズ ドライSD™ Windowless EDS

JSM-IT800 / Windowless EDS分析で新たな探求を。

軽元素から重元素までストレスフリーなEDS分析を実現!
カーボンニュートラルが牽引役となり、素材開発はより重要となっています。電池材料で例えるとLiなどの軽元素からNi,Co,Mnなどの遷移金属までの幅広い解析が必要です。
半導体材料や触媒のナノ粒子の解析には特性X線をより効率良く、高感度で分析するニーズが増えています。 
新開発のドライSD™ Gather-XはJSM-IT800に搭載可能 (※) なWindowlessタイプのEDSです。Li-K (54 eV) に代表される低エネルギー特性X線を含んだ全エネルギー帯域での高感度X線分析が可能、さらに、JSM-IT800と連動した安全機能とSEM/EDS統合ソフトウェアにより、使う方を選ばない安心・快適な操作性を提供します。

※JSM-IT800<HL>/<SHL/SHLs>に搭載可能

特長 / Gather-X

全エネルギー帯の高感度分析

全エネルギー帯の高感度分析 / Gather-X

100 eV以下の特性X線 (軟X線領域) の検出

Windowless化により、1 keV以下のエネルギーの特性X線検出感度が大幅に向上したほか、Li-Kなど100 eV以下の軟X線領域も検出可能です。

全固体リチウムイオン二次電池負極材の分析事例

全固体リチウムイオン二次電池負極材の分析事例 / Gather-X
試料:全固体リチウムイオン二次電池のシリコン負極
分析条件:入射電圧 3 kV、WD 7 mm、照射電流 0.6 nA、取得時間 15 分
SEM:JSM-IT800 <SHL>
試料提供 :
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
教授 松田 厚範 先生

リチウム (Li-K: 54 eV) とシリコン (Si-L: 90 eV) のEDS MAP。エネルギーの近接する2つのピークを分離してマッピングすることにより、シリコン負極内でのリチウムおよびシリコンの分布が明らかになりました。

全固体リチウムイオン二次電池負極材の分析事例 / Gather-X
point / Gather-X
大立体角化により、高いカウントレートでのEDS分析が可能です。大幅な測定時間の短縮、試料への電子線ダメージの低減に繋がります。
全エネルギー帯の高感度分析 / Gather-X

大立体角

大立体角化により、高いカウントレートでのEDS分析が可能です。大幅な測定時間の短縮、試料への電子線ダメージの低減に繋がります。

リチウムイオン二次電池正極材の分析事例

リチウムイオン二次電池正極材の分析事例 / Gather-X
試料: リチウムイオン二次電池の正極材
分析条件: 入射電圧 1.5 kV (試料バイアス -5 kV)、 WD 7 mm
照射電流 4.8 nA、取得時間 13 分
SEM: JSM-IT800 <SHL>

活物質であるマンガン、コバルト、ニッケル、酸素、導電助剤であるカーボン、結着材の成分として含まれるフッ素のEDS MAP。電子線ダメージに弱く、表面に分布している結着材を分析するため、低入射電圧 (1.5 kV) にて分析した例です。

低入射電圧 (1.5 kV) にて分析した例 / Gather-X

Standard EDS (ドライSD™ 100 mm²) と比較して、X線カウント量が高いため、ピーク分離の精度も向上し、より明瞭・正確なフッ素の分布を取得できました。

大立体角 / Gather-X
point / Gather-X
レーストラック型の検出素子を搭載したことで、試料に近接させることができ、大立体角化を実現。
全エネルギー帯の高感度分析 / Gather-X

高入射電圧分析

試料から発生した反射電子が検出素子に入射するのを防ぐ機構 (Electron Trap) により、入射電圧30 kVでも定性・定量分析が可能です。
高入射電圧分析 / Gather-X

半導体のSTEM/EDS分析事例

入射電圧30 kVでおこなった半導体材料のSTEM-EDS分析。

半導体のSTEM/EDS分析事例 / Gather-X
point / Gather-X
反射電子の入射を阻止しているため、反射電子由来のバックグラウンドの上昇を抑制するほか、検出素子へのダメージも回避します。

試料:SiCパワー半導体のFIB薄膜
分析条件:入射電圧 30 kV、WD 8 mm
照射電流 4.1 nA、取得時間 5 分
SEM:JSM-IT800 <SHL>※1
EDS相マップ
EDS相マップ / Gather-X
※1. Deben社製STEM検出器を使用。
※2. EDS相分析ソフトウェアはオプションです。
EDS相マップ / Gather-X
point / Gather-X
EDS相分析ソフトウェア※2により、単一の元素ごとではなく、複数元素の化合物として、各相を判別することも可能です。

高空間分解能MAP

高空間分解能MAP / Gather-X

短WD/BDモード分析

標準WD (7 mm) よりも短いWDでの定性分析に加え、試料ステージバイアスを印可するBDモードと組み合わせることで、低入射電圧による高空間分解能EDS MAPの取得が可能です。
短WD/BDモード分析 / Gather-X

触媒 (ナノ粒子) の分析事例

WD 4 mm、倍率200,000倍での酸化チタン上の銀ナノ粒子 (約18 nm) のEDS MAP。高空間分解能でのEDS MAPは、触媒などの微小な粒子に有効です。

触媒 (ナノ粒子) の分析事例 / Gather-X
試料:酸化チタン上の銀ナノ粒子
分析条件:入射電圧 5 kV (試料バイアス -5 kV)
     WD 4 mm、照射電流 1 nA、取得時間 9 分
SEM:JSM-IT800 <SHL>
触媒 (ナノ粒子) の分析事例 / Gather-X
クリーム色:Ag-L、紫色:O-K + Ti-L

point / Gather-X
JSM-IT800の持つ力を最大限に引き出し、SEM/EDS分析をおこなうことができます。

使いやすさと安心操作

使いやすさと安心操作 / Gather-X

EDSインテグレーション

JSM-IT800のSEM制御ソフトウェア (SEM Center) での操作が可能です。SEMによる観察とGather-XによるEDS分析をシームレスにおこなえます。

SEM Center上でEDS分析 (点・エリア・MAP・線) を実行可能です。
Live Analysis やLive MAPによるスクリーニング機能も充実しています。

EDSインテグレーション / Gather-X
使いやすさと安心操作 / Gather-X

JSM-IT800連動の安全機能

電子顕微鏡メーカーならではの安全機能により、JSM-IT800とGather-Xが連動し、安心の操作を提供します。

検出素子保護システム

冷却された検出素子の、大気曝露による故障を防止するシステム。検出素子が冷却中の場合、SEM試料室の真空度は制限されます。

SEMステージとの衝突防止システム

挿入位置で各種試料ホルダーとの衝突を防止するシステム。 試料ホルダーの大きさに合わせて、ステージの移動制限が掛かるので、安心して分析ができます。
SEMステージとの衝突防止システム / Gather-X

各種アタッチメントとの衝突防止システム

JSM-IT800に搭載されるアタッチメントとの衝突を防止するシステム。挿入位置で衝突するアタッチメントが存在する場合は、Gather-Xの挿入位置が自動で制限されます。

挿入位置 (High Sensitivityモード) / Gather-X
挿入されているアタッチメントと衝突しない場合、
Gather-Xは挿入位置で分析が可能です。
プリ挿入位置 (Normal Sensitivityモード) / Gather-X
挿入されているアタッチメントとの衝突を防ぐために、
Gather-Xの挿入位置が制限されます。

カタログ

仕様/オプション SPEC / OPTION

検出可能元素 Li ~ U
エネルギー分解能 129 eV以下 (Mn-Kα)
59 eV以下 (C-Kα)
検出素子タイプ SDDタイプ
検出素子面積 100 mm2
対応入射電圧 30 kV以下
対応真空モード 高真空モード
検出素子冷却方式 ペルチェ冷却
駆動方式 モーター駆動
安全機能 JSM-IT800の真空度と連動した検出素子保護システム (高真空モード時のみ検出素子の冷却が可能)
ステージや他アタッチメントとの衝突防止システム
Gather-X制御 SEM制御ソフトウェアに組み込み
適用機種 JSM-IT800<HL>、JSM-IT800<SHL / SHLs>
設置条件 室温:20 ± 5 °C
湿度:60%以下 (結露なし)
マルチ検出器 Standard EDSとの複数構成可能
本体 / Gather-X

本体

SDDコントローラー / Gather-X

SDDコントローラー

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