最新の静電半球アナライザを用いたナノ領域オージェマッピング (1)
高空間分解能オージェマッピング − Siウエハ上のAgナノ粒子−
オージェ分析は、従来から高い空間分解能を有しており、バルク表面の分析では微小領域の分析を得意とする方法です。 フィールドエミッション型電子銃が搭載されて、ナノメータ領域の分析が容易にできるようになり、アナライザの高感度化によって数 nA の照射電流でも、オージェ分析が可能となっています。
ここでは、Si ウエハ上に分散した直径約 10nm の Ag ナノパーティクルを 50 万倍で分析した結果を示します。約 10nm の粒子間 ギャップが確認できることから、マッピングの空間分解能は 10nm 以下であることがわかります。
オージェ分析は、従来から高い空間分解能を有しており、バルク表面の分析では微小領域の分析を得意とする方法です。 フィールドエミッション型電子銃が搭載されて、ナノメータ領域の分析が容易にできるようになり、アナライザの高感度化によって数 nA の照射電流でも、オージェ分析が可能となっています。
ここでは、Si ウエハ上に分散した直径約 10nm の Ag ナノパーティクルを 50 万倍で分析した結果を示します。約 10nm の粒子間 ギャップが確認できることから、マッピングの空間分解能は 10nm 以下であることがわかります。
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