オージェマッピングに必要な電子線の照射条件

オージェマッピングの空間分解能はほぼ照射電子線のビーム径に相当するため、同じ照射条件の二次電子像と同じ程度の空間分解能になると考えられます。そこで、高加速 ・ 低電流の照射条件が最も最適だと考えられますが、そのような照射条件では、オージェピーク強度が小さくなり、測定時間が長時間となるため、かえってマッピングの質が悪くなる場合があります。そこで、10 万倍以上の高倍率オージェマッピングに適した照射条件を調べるため、Au 粒子を蒸着した HOPG に対して、10～30 kV の加速電圧、1～10 nA の照射電流で元素 C のマッピング像がどのように変化するかを調べました。ただし、同じ S/N 比のマッピング像を得るため、照射電流に反比例した積算回数に設定しました。