イオンミリング

ion milling

[目次：試料等(試料および試料作製)]

電解研磨法や化学研磨法などで試料作製が行えない場合に使われる試料作製法。特に異なる材料からなる積層構造の断面観察用の試料作製に用いられる。2～10kVで加速したアルゴンイオンビームで入射角10°以下のすれすれ入射で試料を照射し、表面原子を削り薄膜化する。イオンビームによる試料損傷がさけられないのが欠点。市販の装置では倍率数十倍の光学顕微鏡またはCCDカメラで試料の状態を観察できるようになっている。

"Ion milling" is a specimen preparation technique that is used when electrolytic polishing or chemical polishing cannot be used to prepare a specimen. This technique is particularly effective for the specimen preparation when cross-section observations of layered materials are requested. A thin cross sectional film is prepared by milling surface layer atoms with the irradiation of an argon ion beam accelerated at 2 kV to 10 kV with a grazing incidence angle less than 10°. The disadvantage of ion milling is that damage to the specimen is unavoidable. Commercially-available ion-milling instruments are equipped with an optical microscope or a CCD camera with a magnification of several ten times to view the state of the specimen.

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