照射損傷

radiation damage

[目次：試料等(試料および試料作製)]

電子線の照射による試料の構造劣化。一次的な損傷にはノックオン（knock-on)とイオン化(ionization)がある。ノックオンは、入射電子に衝突された原子がその格子点からはじき出されて格子間原子となり、元の格子点が原子空孔となる過程をいう。イオン化は、原子の外殻電子がはじき出されて原子がイオン化される過程。一次的な損傷の結果に引き続いて起こる緩和過程で特定の格子欠陥が生成されたり、非晶質化が起こる。この過程を二次過程という。

"Radiation damage" is defined as structure deterioration of a specimen due to the irradiation of an electron beam. The primary radiation damage includes the knock-on damage and the ionization damage. In the knock-on damage process, an atom that suffers the collision by an incident electron is ejected from its lattice site, forming an interstitial atom and an atomic vacancy at the corresponding lattice site. In the ionization damage process, outer-shell electrons of an atom are ejected and the atom is ionized. In a subsequent relaxation process after the primary radiation damage process, particular lattice defects or amorphous structures are created. This process is called the secondary radiation damage process.