平均自由行程

mean free path

[目次：理論(電子の散乱／回折／結像)]

入射電子が、ある散乱を起こすまでに走行する距離。非弾性散乱に対する平均自由行程は入射線のエネルギーが大きいほど大きく、原子番号が大きいほど小さい。また入射線の取り込み角が大きいほど小さい。200kVの電子線に対する全非弾性散乱に対する平均自由行程は150nm程度である。平均自由行程(nm)の目安として、入射エネルギー(keV)に0.8倍した値で与えられるとの提案がある。非弾性散乱に対する平均自由行程は弾性散乱の場合の20分の1程度である。

The average traveling distance of an electron before a scattering event takes place. As the energy of the electron beam is larger, the "mean free path" for scattering is larger. It becomes smaller as the atomic number of the constituent atoms is larger and as the acceptance angle of the incident electron beam is larger. The mean free path for the total inelastic scattering for an electron beam at 200 kV is about 150 nm. A simple estimation has been proposed that the mean free path (nm) is given by a value of about 80% of the incident electron energy (keV). The mean free path for inelastic scattering is about 1/20 that for elastic scattering.

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