オスミウム・プラズマコーターは「直流グロー放電による負グロー相領域内でのプラズマ製膜法」を用いた、主にSEM試料用の導電性薄膜作製装置です。プラズマCVD法により、非晶質のオスミウム導電性薄膜（オスミウムコート）を短時間に形成することができます。非常に強固、かつ滑らかな表⾯の導電性薄膜が試料に対し熱ダメージを与えることなく得られます。また、標準仕様のオスミウム薄膜機構に加え、ナフタレンを用いたプラズマ重合膜機構、導電性超薄膜製膜機構、親⽔化処理機構、深型試料機構などの拡張性に優れたラインアップを取り揃え、SEM・TEM試料等のさまざまな前処理に対応しています。
特長
オスミウム薄膜に関して
粒状性がない（オスミウム薄膜は非晶質）
回り込みが良い（四酸化オスミウムをガス化後に製膜）
熱ダメージがない（熱をかけず常温で製膜）
電子線ダメージがない（⾦属オスミウムの融点は2,700°C）
コンタミネーションがない（オスミウムイオン雰囲気内で製膜）
プラズマ重合膜（ナフタレンによるハイドロカーボン膜）
強靭性（FIBで使用するガリウムイオンに耐えうる強靭な膜です）
粒状性がない（ハイドロカーボンのプラズマ重合膜は非晶質）
回り込みがよい（ナフタレンをガス化してから製膜）
熱ダメージがない（熱をかけず、常温で製膜）
耐熱性
絶縁性
電子線ダメージがない
操作性について
フルオート操作（膜厚を設定してスタートボタンを押すだけ。人為的な膜厚誤差や膜質誤差が少なく、再現性に優れています）
オスミウム昇華室/ナフタレン昇華室の着脱が可能。（密封構造で、冷凍保存も可能）
オスミウム/ナフタレンの残量確認が可能（残量確認⼩窓付き）
製膜時間が短い（数nm/数秒）
安全性に関して
フルオート操作でヒューマンエラーを防ぎます。
アンプルは昇華室の中で割る安全構造です。
インターロック機構（オスミウムガスがガス反応容器内に導入された後、規定の真空度に到達しない限りガス反応容器内のリークができません。また、真空チャンバー開放時、ガス導入スイッチが押せません）
当社独自開発のオスミウムトラップフィルターを装着。環境基準をクリアし、ハイレベルな安全性を確保。
仕様・オプション
本体
| タイプ | オスミウム膜/プラズマ重合膜 両用タイプ |
|---|---|
| 型式 | OPC80T |
| ガス反応容器 | ガラス容器 160 (φ) × 105 (H) mm |
| 最⼤試料寸法 | 44 (W) × 44 (D) × 4 (H) mm 又は、32 (φ) × 14 (H) mm |
| SEM試料台用陰極電極 | マルチタイプ電極 10 mm φ × 2個 及び 15 mm φ × 2個 及び 32 mm φ × 1個 を同時に製膜 |
| 生成膜厚 | 数 nm〜数100 nm |
| 最⼩膜厚設定 | 超薄膜モード：0.1 nm〜、通常モード：1 nm〜 |
| 生成膜 | オスミウム薄膜 / プラズマ重合膜（ナフタレン） |
| 四酸化オスミウム昇華室 | 残量確認窓付密封脱着構造（脱着後冷凍保存可） |
| ナフタレン昇華室 | ヒーター付、残量確認窓付脱着構造 |
| ガス導入方式 | 四酸化オスミウム結晶 又は、ナフタレン結晶を専用昇華室で昇華させて導入 |
| 電源 | 単相AC 100 V 50/60 Hz 12 A （ロータリーポンプの供給電源を含む） |
| 外形寸法 | 450 (w) × 410 (D) × 390 (H) mm |
| 質量 | 約30 kg |
ロータリーポンプ（OsO4 フィルター付）
| 電源 | AC 100 V 50 Hz(60 Hz) 550 W |
|---|---|
| 全負荷電流 | 単相 9.0 A (8.4 A) |
| 排気速度 | 200 L (240 L) /min |
| 外形寸法 | 170 (W) × 520 (L) × 560 (H) mm |
| 重量 | 約31 kg |
関連製品
オスミウムコーティングシステム Tennant20 （メイワフォーシス社製）
オスミウムコーティング装置 HPC-20(真空デバイス社製)
more info
