先端半導体の故障解析を加速する新しい解析プラットフォーム～HAXISによる低ダメージ剥離観察と解析事例のご紹介～

公開日： 2026/10/05

先端半導体の故障解析に向けた新しい解析アプローチとして、JEOLの新しい半導体不良解析プラットフォーム「HAXIS」をご紹介します。長年研究を進めてきたPVC（Passive Voltage Contrast）検出技術と、低角度イオンミリング（LIM）による低ダメージ剥離加工を組み合わせることで実現した新たな "LIM-SEM"について、解析ワークフローやアプリケーション事例を交えながら解説します。

本セミナーは、WEB上で開催されます。WEBに接続できる環境であれば、パソコンからだけでなく、スマートフォンやタブレットからも参加することができます。皆さまのご参加をお待ちしております。

このウェビナーから学べること

新しい半導体不良解析プラットフォーム「HAXIS」の特長
低角度イオンミリング（LIM）とPVC観察を組み合わせた新しい不良解析手法
SRAMや3D NANDをはじめとする先端デバイスへの適用事例と解析ワークフロー

参加いただきたいお客様

半導体の不良解析や歩留まり改善に携わる方
半導体デバイス・プロセス開発に携わる方
半導体の評価・分析業務に携わる研究者・技術者の方

関連製品

HAXIS LIM-SEM 複合ビーム加工観察装置

講演者	植竹勇介日本電子株式会社 SI事業部門 EP事業ユニット EPアプリケーション部
開催日	2026年12月1日(火) 16:00 ～ 17:00
参加費	無料 (先着順での受付となります。お早目にお申込みください。)
発表資料	講演後のアンケートにご記入いただくとダウンロードができます。
講演録画	後日講演録画をウェビナーアーカイブに掲載します。掲載の際はメールマガジンやSNSにてご案内をいたしますので登録/フォローをお願いします。
質疑応答	講演終了後に質疑応答の時間を設けています。ご質問のある方は参加登録フォームの事前質問欄にご記入いただくか、講演当日にZoomのQ&A機能をご利用ください。なお、質疑応答では、本ウェビナーの内容に関するご質問を中心にお受けいたします。その他のお問い合わせにつきましては、別途お問い合わせ窓口よりご連絡ください。
お問い合せ	日本電子株式会社デマンド推進本部ウェビナー事務局 sales1[at]jeol.co.jp [at]は＠に、ご変更ください。