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茨城大学、日本電子の共同研究の成果が「Applied Physics Letters」誌に掲載されました

公開日: 2026/04/17

茨城大学、日本電子の共同研究の成果が「Applied Physics Letters」誌に掲載されました。

Si基板上にエピタキシャル成長させた高性能熱電材料Mg3Sb2の薄膜を原子分解能分析電子顕微鏡を用いて観察を行い、その結晶構造を明らかにしました。

Zintl-phase Mg3Sb2 as an emerging infrared photodetector material on silicon

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