スピーディマルチ分析
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長時間安定した照射電流と開き角最適レンズで光分解能観察像が簡単に取得できます。
FIB加工中の状況をSEM像で同時観察でき、内部構造の観察やTEM薄膜試料作成に有効です。
特長
<<現在販売中の後継機種は、JIB-4601Fとなります。>>
高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 200nA の大電流による安定した高速分析が可能
FIB 加工から SEM 観察、EDS、EBSD 分析まで全ての機能に配慮した最適マルチポート試料室
試料保護膜作成用複数ガス種同時装着が可能
高分解能 SEM 観察により、TEM 用薄膜作製が可能
仕様・オプション
FIB (集束イオンビーム)
イオン源 | Ga 液体金属イオン源 |
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加速電圧 | 1~30 kV |
倍率 | ×30 (視野探し)、
×100~×300,000 |
像分解能 | 5nm (30kV時) |
最大ビーム電流 | 30nA (30kV時) |
可動絞り | 12段 (モータ駆動) |
イオンビーム加工形状 | 矩形、ライン、スポット |
SEM (電子ビーム)
加速電圧 | 0.2~30 kV |
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倍率 | ×20~×1,000,000 |
像分解能 | 1.2nm保証 (加速電圧 30kV)
3.0nm保証 (加速電圧 1kV) |
最大ビーム電流 | 200nA |
試料ステージ | ゴニオメータステージ
X: 50mm, Y: 50mm, Z:1.5~41mm T: -5~70°, R : 360° |
真空ポンプ | SIP×2 (SEM), ×1 (FIB)
TMP×1 RP×1 |
主なアタッチメント
EDS(エネルギー分散型X線分析装置)
EBSD(EBSDシステム)
CLD(カソードルミネッセンス検出器)
IR-CAM(観察用IRカメラ)
GIS (ガス インジェクション システム) ×3
大気中ピックアップシステム
PCD(プローブ電流検出器)
AEM(吸収電流計)
TED (透過電子検出器)
BEI (反射電子検出器)
液体窒素トラップ
ビームブランキングデバイス
スライス画像三次元再構成ソフトウェア
設置条件
入力電源 | 単相 200V 10%、50/60Hz、6kVA |
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アース端子 | D 種接地 (100Ω以下) 1 個 |
室温 | 20℃±5℃ |
湿度 | 60% 以下 |
外観・仕様は改良のため予告なく変更することがあります。