状態密度

density of states

[目次：分光分析(EELS／EDS／電子構造)]

単位体積あたり、エネルギー帯の単位エネルギー幅あたりに存在する電子状態の数。伝導帯の状態密度は、高いエネルギー分解能のEELSによって調べることができる(熱電界放出型電子銃を搭載した透過電子顕微鏡で1eV以下、冷陰極電界放出型電子銃では約0.3eV)。価電子帯の状態密度は、入射電子線によって試料から発生するX線を分光する(XES)ことによって得られる。このとき、エネルギー分解能を1eV以下にすることが必要である。最近開発された波長分散型X線分光(WDS)では、約0.5eVの分解能で価電子帯の状態密度を得ることができる。

The number of electronic states per unit volume and per unit energy in energy band. The density of states (DOS) of the conduction band can be investigated by high energy resolution EELS. (The energy resolution is better than 1 eV for a TEM equipped with a thermal FEG and is about 0.3 eV for that with a cold FEG.) The DOS of the valence band is obtained by XES, which analyzes X-rays emitted from a specimen by the illumination of the incident electron beam. An energy resolution better than 1 eV is required for the analysis of the valence band. A recently-developed WDS analyzer provides an energy resolution of about 0.5 eV, giving us good DOS of the valence band.

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