SE2

SE2

[目次：理論]

入射電子 (一次電子) の入射点から離れた部位で、反射電子によって励起された二次電子。したがって、SE2の励起領域は反射電子の放出領域に依存する。
加速電圧が高くなる (一次電子のエネルギーが大きい) と、反射電子は一次電子の入射点から離れた一層広い領域から放出される。そのため、凹凸のある試料部分では、SE2は像の分解能を下げ、表面の微細構造を見づらくする。
SE2の放出率は反射電子の放出率に比例する。したがって、SE2は反射電子に依存した試料情報を持つ。表面が平滑で、組成の違いしかない試料では、反射電子放出の原子番号依存性（原子番号が大きいほど明るくなる）が、SE2による二次電子像にも現われる。ただし、そのコントラストは弱い。
下図にSE2の発生を模式的に示す。

SE2の発生→図

Secondary electron(s) which are excited by backscattered electrons at a region distant from the incident electrons (primary electrons). Thus, the emission region of SE2(s) depends on the backscattered-electrons.
For a higher accelerating voltage of the incident electrons, the backscattered electrons are emitted from a larger region distant from the incident electrons. Thus, SE2 degrades the resolution of a secondary electron image, especially, of an uneven surface.
The emission rate of SE2 is proportional to that of the backscattered electron. This indicates that SE2 possesses the information similar to that backscattered electrons provide. For a specimen that has a flat surface and has only the compositional difference, a secondary electron image contributed by SE2 provides contrast dependent on the atomic number (though the contrast is low) as is seen in the backscattered-electron image, where a specimen region with a large atomic number appears bright. The schematic of the S2 generation is illustrated below.