磁区コントラストI

type-I magnetic domain contrast

[目次：理論]

二次電子モードで得られる磁気コントラスト。試料外部に大きな漏洩磁界を生じるような垂直磁区を持つ磁性試料を観察したときに生じる。試料から放出された二次電子が、この漏洩磁界により偏向され、検出器に入射したりしなかったりするために明るさの違いを生じる。これを磁区コントラスト I またはタイプ I 磁区コントラストと言う。磁壁の部分で明るさが逆転するが、漏洩磁界がブロードな分布をするため、解像力は高々数～数十µmである。試料を回転するとコントラストは変化し、180゜回転するとコントラストは逆転する。
下図は、画面上向きの磁束を持つ試料に対して、画面手前から電子線を入射させた場合である。Aの磁壁付近で放出された二次電子は漏洩磁場によって検出器に向くローレンツ力を受けるため、より多く検出されて明るくなり、Bの磁壁付近では反対向きのローレンツ力を受けるため暗くなる。

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