エスケープピーク

escape peak

[目次：分光分析(EELS／EDS／電子構造)]

EDS分析において、試料から放出されるX線を半導体検出器で検出するとき、半導体検出器に入射したX線のエネルギーの一部が検出器の構成元素であるシリコン(Si)などの内殻電子励起に使われてしまい、その分だけ低いエネルギー位置に小さなピークが現れる。これがエスケープピークであり、スペクトルの解析の際には注意を要する。

In EDS analysis, when characteristic X-rays emitted from a specimen are detected with a semiconductor detector, part of the energies of the X-rays entering the detector is used to excite inner-shell electrons of silicon (Si) that is a constituent element of the detector. As a result, a small peak appears in an EDS spectrum at an energy lower than that of characteristic X-rays by the excitation energy of Si. This peak is called an "escape peak" and therefore, care must be taken for spectral analysis.

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