粒界

grain boundary

[目次：結晶等(結晶構造／材料試料)]

多結晶固体における各結晶粒どうしの境界のこと。結晶粒界ともいう。

grain boundary ⇒図
シリコン多結晶の高分解能HAADF-STEM像。加速電圧：300kV。
図中の赤色矢印で示した境界がシリコン結晶の粒界であり、ダンベル構造の向きが変化しているのが分かる。
この場合、粒界はΣ3, [110]/{111}と表記される。

"Grain boundary" separates respective crystalline particles with different orientations in a polycrystalline solid. Grain boundaries are also called crystalline grain boundaries.



High-resolution HAADF-STEM image of polycrystalline silicon taken at an accelerating voltage of 300 kV. The boundary indicated by red allows is a grain boundary of crystalline silicon. The image reveals that the dumbbells of silicon atoms change their orientations across the boundary. This grain boundary is expressed by Σ3, [110]/{111}.

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